型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: P沟道 200V 2.4A506910-99¥8.7960100-499¥8.3562500-999¥8.06301000-1999¥8.04832000-4999¥7.98975000-7499¥7.91647500-9999¥7.8578≥10000¥7.8284
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET395610-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET528820-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET47575-24¥5.953525-49¥5.512550-99¥5.2038100-499¥5.0715500-2499¥4.98332500-4999¥4.87315000-9999¥4.8290≥10000¥4.7628
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT1N60CTF_WS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V10015-24¥2.052025-49¥1.900050-99¥1.7936100-499¥1.7480500-2499¥1.71762500-4999¥1.67965000-9999¥1.6644≥10000¥1.6416
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET72835-24¥4.306525-49¥3.987550-99¥3.7642100-499¥3.6685500-2499¥3.60472500-4999¥3.52505000-9999¥3.4931≥10000¥3.4452
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET29655-49¥22.581050-199¥21.6160200-499¥21.0756500-999¥20.94051000-2499¥20.80542500-4999¥20.65105000-7499¥20.5545≥7500¥20.4580
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品类: MOS管描述: N沟道 600V 2.4A76055-24¥1.714525-49¥1.587550-99¥1.4986100-499¥1.4605500-2499¥1.43512500-4999¥1.40345000-9999¥1.3907≥10000¥1.3716
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。58505-24¥5.481025-49¥5.075050-99¥4.7908100-499¥4.6690500-2499¥4.58782500-4999¥4.48635000-9999¥4.4457≥10000¥4.3848
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail426420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 250V沟道MOSFET 250V Channel MOSFET466610-49¥0.918050-99¥0.8704100-299¥0.8364300-499¥0.8160500-999¥0.79561000-2499¥0.77522500-4999¥0.7446≥5000¥0.7378
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET891520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET132020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET605310-99¥9.7560100-499¥9.2682500-999¥8.94301000-1999¥8.92672000-4999¥8.86175000-7499¥8.78047500-9999¥8.7154≥10000¥8.6828
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET73995-24¥1.485025-49¥1.375050-99¥1.2980100-499¥1.2650500-2499¥1.24302500-4999¥1.21555000-9999¥1.2045≥10000¥1.1880
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。484910-99¥6.9960100-499¥6.6462500-999¥6.41301000-1999¥6.40132000-4999¥6.35475000-7499¥6.29647500-9999¥6.2498≥10000¥6.2264
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品类: MOS管描述: N沟道 100V 11.8A27385-24¥6.169525-49¥5.712550-99¥5.3926100-499¥5.2555500-2499¥5.16412500-4999¥5.04995000-9999¥5.0042≥10000¥4.9356
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 400V 2A 3Pin TO-220 Tube415310-99¥6.5760100-499¥6.2472500-999¥6.02801000-1999¥6.01702000-4999¥5.97325000-7499¥5.91847500-9999¥5.8746≥10000¥5.8526
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP3P50 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V825610-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。508310-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET69395-24¥2.592025-49¥2.400050-99¥2.2656100-499¥2.2080500-2499¥2.16962500-4999¥2.12165000-9999¥2.1024≥10000¥2.0736
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET QFET® 400 V , 10.5 , 530英里© N-Channel QFET® MOSFET 400 V, 10.5 A, 530 mΩ278220-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET286510-49¥1.039550-99¥0.9856100-299¥0.9471300-499¥0.9240500-999¥0.90091000-2499¥0.87782500-4999¥0.8432≥5000¥0.8355
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品类: MOS管描述: 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET86035-24¥1.768525-49¥1.637550-99¥1.5458100-499¥1.5065500-2499¥1.48032500-4999¥1.44765000-9999¥1.4345≥10000¥1.4148
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品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK272420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R96505-24¥5.089525-49¥4.712550-99¥4.4486100-499¥4.3355500-2499¥4.26012500-4999¥4.16595000-9999¥4.1282≥10000¥4.0716
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品类: MOS管描述: N沟道 400V 2A900310-49¥0.972050-99¥0.9216100-299¥0.8856300-499¥0.8640500-999¥0.84241000-2499¥0.82082500-4999¥0.7884≥5000¥0.7812
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R945520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 900V 2.8A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail753610-99¥9.1440100-499¥8.6868500-999¥8.38201000-1999¥8.36682000-4999¥8.30585000-7499¥8.22967500-9999¥8.1686≥10000¥8.1382
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。26495-24¥6.561025-49¥6.075050-99¥5.7348100-499¥5.5890500-2499¥5.49182500-4999¥5.37035000-9999¥5.3217≥10000¥5.2488